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比EUV光刻機更先進:美企研發全新光刻機,造出0.7nm芯片
2022/09/27
2022/09/27

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眾所周知,目前最頂尖的光刻機是ASML的EUV光刻機,能夠制造3nm的芯片。且在ASML的規劃中,到2024年或2025年會交付全新一代的High-NA極紫外光刻機。

這種EUV光刻機,數值孔徑變為0.55NA,也就是解析度(精度)為8nm,可以制造2nm,以及1.8nm的芯片。

至于1.8nm以下,用什麼光刻機?反正ASML現在還沒規劃,因為1.8nm后,技術又會怎麼樣變化,誰也不清楚。

但近日,美國一家公司Zyvex,利用一種完全不同于EUV光刻機的技術,制造出了768皮米,也就是0.7nm的芯片。

而0.7nm,差不多相當于2個硅原子的寬度,也是理論上硅基芯片的最高精度,所以很多人認為,當芯片精度達到了1.8nm以后,可能EUV光刻機也不行了,要使用Zyvex公司研發出的這種光刻技術了。

Zyvex公司的光刻技術,是啥技術?其光刻系統命名為為ZyvexLitho1,是基于STM掃描隧道顯微鏡,使用的是EBL電子束光刻方式,與極紫外線沒有任何關系,稱之為電子束光刻機,可能更合適一點。

按照Zyvex的說法,這台ZyvexLitho1是可以商用的,還可以接受別人的訂單,具體多少錢一台,不清楚,但機器對方可以在6個月內出貨。

雖然可以對外出貨,但國廠商,想要買到它,可能就千難萬難了,基本不太可能,畢竟EUV光刻機都買不到,更不要說精度更高的電子束光刻機了。

當然,硅基芯片,也不需要這種電子束光刻機,這麼高的精度更多還是用于量子計算芯片,制造出一些高精度的量子器件,納米器材等。

另外就是,EBL電子束光刻機,產能非常低,至少在目前大規模制造芯片也不現實,只能小規模的制造量子計算的芯片,至于未來能不能技術改進,提高產能,進而取代EUV光刻機,還不清楚。

但這或許也意味著在EUV光刻機后,EBL電子束光刻機是一個新的方向,你覺得呢?

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