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不黑不吹,研發出EUV光刻機,我們也無法順利制造7nm芯片
2022/12/07
2022/12/07

目前網絡有一種聲音,那就是我們必須自研出EUV光刻機,只要自研出EUV光刻機,ASML和美國就卡不住我們的脖子了,芯片就再也不用愁了。

但真的自研出EUV光刻機,我們就能夠制造出7nm芯片了麼?在我看來,僅靠EUV光刻機,是遠遠不夠的,還差得遠呢。

芯片制造是一個非常復雜的流程,涉及到幾十種設備,上百道工序,主要可以分為單晶硅片制造、前道工序、后道工序這三部分。

單晶硅片涉及到各種半導體材料,目前國內整體半導體材料的自給率不足20%,特別是14nm以下的半導體材料自給率就更低,高度依賴國外進口。

而前道工序更是重點,有至少8個工序,分別是擴散、薄膜沉積、光刻、刻蝕、離子注入、CMP拋光、金屬化、測試。

而這里也要用到各種設備,眾多的材料,光刻機只是其中的一種設備,這些設備大多和光刻機一樣,是有精度要求的,分別要求達到7nm。

還有一些材料,也需要達到7nm,比如光刻膠,7nm及以下芯片制造需要的是EUV光刻膠,但我們自給率為0。

后道工序,這里主要涉及到的是封測,相對要求會低一些,但也是有工藝精度要求的。

綜合起來看,要想芯片制造水平達到7nm,需要EDA支持7nm,半導體材料也是支持7nm,半導體設備也支持7nm……

而EUV光刻機只是其中的一種設備,就算我們突破了,美國或其它國家一樣能夠在其它設備、材料上卡住我們,因為目前國產的半導體材料、半導體設備,很多在28nm甚至更成熟的工藝,達到7nm的少之又少。

目前僅是EUV光刻機卡得最為明顯,卡得最為關鍵,最為大家所知而已,并不意味著其它設備或材料不卡了,一旦EUV光刻機我們有了,美國在其它設備或材料上就會卡住我們的。

要想真正不受限的制造出7nm芯片,我們需要的是整個產業鏈崛起,達到7nm才行的,所以現在真不必急著進入7nm,并且也進入不了。

按照機構的數據,2022年28nm及以下的芯片占全球所有芯片的比例還高達75%+,所以我們現在的重點不是先進工藝,而是全產業的國產化率,同時提升產能,先滿足國內成熟工藝的需求,先解決了這些問題,再向先進工藝前進,這樣才走得穩健。

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