自從老美多次修改芯片規則，并對我國華為進行「卡脖子」以后，就讓無數的中企都認識到了半導體芯片研發的重要性，并紛紛開始覺醒；為了避免在芯片領域受制于人，無數的中企都加入了自研芯片的行列中，為中國芯片產業的發展貢獻自己的力量，這也讓我們看到了國產芯片產業崛起的希望！
要知道，目前市場上所使用的半導體芯片大多都是硅基芯片，而老美在硅基芯片市場上發展了半個多世紀，并積累了大量的核心技術專利，在美國的限制和封鎖下，我們想要在短短幾年時間里就追趕上老美在硅基芯片領域的發展，這也幾乎是不可能的；雖然說在硅基芯片領域我們被封鎖，但是國產科技企業卻可以另辟蹊徑，在第二代、第三代、乃至是第四代芯片材料領域尋找出路，如今西安郵電大學就立功了，在第四代芯片材料領域實現了突破，這也是中國芯的重大突破！
第一代芯片材料主要是硅、鍺等半導體材料，也就是我們常說的硅基芯片，這是目前市場上最常見的芯片材料；而第二代芯片材料主要是砷化鎵、磷化銦等化合物半導體材料，這一類的芯片材料主要被應用于微電子和光電子等領域；第三代芯片材料主要是碳化硅、氮化鎵為主的寬禁帶半導體材料，像我們所使用的氮化鎵充電頭使用的就是這一類的材料！
值得一提的是，目前市場上主流使用的芯片材料幾乎都需要遵循摩爾定律，當發展到1nm以后，就很難再向下進行突破，而台積電和三星已經實現了3nm芯片的量產，所以硅基芯片材料的發展也幾乎快接近了物理極限；而我們要想在半導體芯片領域實現彎道超車，那麼就必須要對半導體新材料進行研發才行；在西安郵電大學團隊的不斷努力下，已經實現了第四代芯片材料氧化鎵、氮化鋁等半導體材料的突破！
據悉，西安郵電大學團隊利用自研技術，已經成功的制備出了高品質的氧化鎵外延片，這也讓我們在這一芯片材料領域處于全球領先的地位，并給國產科技企業在半導體芯片材料領域實現彎道超車，提供了一定的機會；實際上，我國除了在第四代芯片材料領域實現了重大突破，國內還建立了全球首個光電子芯片生產線，并掌握了全球領先的技術和優勢，看到中國科技企業在半導體芯片領域的快速發展和突破，美媒也表示：封鎖了個「寂寞」！
這幾年來，老美多次修改芯片規則，想要利用自己手中的芯片優勢來對我們實施「科技霸凌」，而國產科技企業要想在芯片領域不被人「封鎖」和卡脖子發展，那麼我們也只有堅持走自主研發的道路，在被老美上了一一課后，國產科技企業也都加快了自研的步伐，相信隨著中國科技企業的不斷突破，那麼我們在半導體芯片領域也終將崛起，到時候老美也將上門求著我們購買芯片；不知道對此你是怎麼看的呢？
