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美國的「陽謀」:讓中國芯設計卡死在3nm,制造卡死在10nm
2022/08/19
2022/08/19

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眾所周知,這幾年中國芯片產業的不斷崛起,特別是制造上,不斷突破,產能急劇提升,在2020年的時候,晶圓產能占全球的16%,已經超過了美國12%。

而按照機構的預測到2030年時,中國晶圓產能會高達24%,而美國會降為10%,不足中國大陸的二分之一,這讓美國大為緊張,所以最近針對中國芯片產業,美國又下死手了。

中美晶圓產能對比

從當前的情況來看,美國下手,分為三個方面。一是利用520億美元的芯片補貼,拉攏芯片巨頭,到美國設廠,并不準拿補貼的廠商,10年內到中國大陸投資高端芯片,以此鎖死中國高端芯片10年。

二是對EDA進行封禁,直接將開發GAAFET(全柵場效應晶體管)結構集成電路必須用到的EDA(電子計算機輔助設計)軟件,被列入管制范圍。

三是對14nm及以下的所有設備,都不準賣到中國大陸來,從制造領域進行打壓。

而美國這三個舉措背后,其實是美國當前的最大「陽謀」,也不遮著掩著,那就是「想讓中國大陸的芯片設計卡死在 3nm,制造卡死在 10nm,然后拉開中美在高速運算、人工 AI 等方面的距離。」。

先說設計卡死在3nm這一塊,因為當芯片進入到3nm時,三星已經使用了GAAFET晶體管,而台積電在2nm時也會使用GAAFET晶體管。

一旦GAAFET晶體管設計使用的EDA不準中國大陸廠商使用,那麼大家基本上芯片設計水平,差不多就卡在了3nm,很難進入到3nm所需的GAAFET技術上來了。

再說制造方面,當前中國大陸最先進的工藝是FinFET技術,也就是中芯的14nm,早已實現了量產。但美國當前想要禁止14nm及以下的半導體設備禁運。

那麼我們就只能停留在14nm,很難再進前一步到10nm了,畢竟當前國產半導體設備能夠支持的工藝,大多在28nm,少部分在14nm,只有刻蝕機到了3nm,要補的課還太多,短時間無法突破。

可見,中國要發展高端芯片,不只是芯片制造環節要突破,還包括設計、制造、封測、設備及材料環節,以及芯片輔助設計工具(EDA)軟件,只有芯片上下游的每一步都要走得扎實,才能夠突破封測,路還很長。

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