中企宣布突破,或將成NAND芯片領導者,外媒:美國受不了這刺激

過人君 2022/12/09 檢舉 我要評論

眾所周知,半導體芯片是現代科技領域發展的「糧食」,如今我們生活中所使用的電子數碼產品中都需要芯片來支撐;而半導體芯片的種類又非常的多,除了我們熟悉的CPU芯片以外,內存芯片也是十分重要的;在智慧型手機,電腦等消費電子產品中都離不開內存芯片,隨著整個內存存儲芯片市場的不斷發展,如今NAND 閃存芯片也成為了市場的主流!

在全球的NAND存儲芯片市場上,韓國、日本和美國是主要的生產地,其中三星電子、SK海力士、鎧俠、西部數據、以及美光等企業主導了NAND存儲芯片市場;但是這也并不意味著我國科技企業就沒有發展NAND存儲芯片的機會;中國長江存儲很早就進入了存儲芯片市場發展,而在也NAND存儲芯片領域也進行了廣泛的布局,如今中企長江存儲正式宣布突破NAND存儲芯片核心技術,或將成為NAND存儲芯片的領導者,那麼中企長江存儲又有哪些核心技術呢?

在過去的幾年時間里,韓國的三星、SK海力士以及美國的美光等存儲芯片巨頭從64層NAND推進到128層,成為了市場上的主流;雖然說美光科技再往前一步,提出了要生產232層結構的想法,但是市場上卻遲遲沒有傳出美光科技突破232層結構的消息,而現在中企長江存儲卻正式推出了232 層 3D NAND 閃存產品,這也意味著長江存儲已經突破了232層3D NAND閃存的生產難題,并成為了 3D NAND 閃存市場上的領導者!

要知道,3D NAND閃存一直都是行業發展的趨勢,而三星、SK海力士以及美光等巨頭在這一領域研發多年,但卻一直都沒有太大的技術突破,但沒想到長江存儲經過不懈的努力,在這一技術領域取得了領先的突破,長江存儲利用Xtacking技術,把存儲陣列與外圍電路進行區分,再用垂直互聯通道進行連接,簡單點說就是在兩顆晶圓上獨立制造兩種電路,這樣的性能將比單一集成方式更加出色!

如今長江存儲率先切入200層以上的3D NAND閃存芯片市場,并成為了行業的領導者,這也是值得我們驕傲和自豪的;而長江存儲的不斷突破和崛起,也將直接改變全球存儲產業市場的發展;并打破美日韓科技巨頭企業對NAND行業的壟斷,對此外媒也紛紛表示:美國受不了這刺激!

這些年來,老美一直都在想方設法的對中企在半導體芯片領域的發展進行打壓,但極限的打壓往往只會刺激中企加快自主研發的腳步,如今長江存儲宣布技術突破,并推出了行業首個232層NAND閃存產品,也相當于是放出了王炸,估計美國可受不了這刺激;相信隨著中企的不斷發展和布局,未來我們也不會再被人卡脖子發展。


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