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全面圍堵!美國想禁14nm及以下、128層以上的半導體設備
2022/08/04
2022/08/04

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近日,有媒體報道稱,為了全面圍堵中國半導體的發展,美國官員計劃對14nm及以下的芯片制造設備,以及128層以上的存儲芯片制造設備進行禁止,不允許供應商們對位于中國大陸的廠商出貨。

為何要禁止14nm及以下的芯片制造設備?原因在于28nm是成熟工藝與先進工藝的分界線,14nm算是先進工藝了,所以要禁止,只能讓我們制造成熟工藝的芯片,停留在成熟工藝上,然后先進工藝的芯片,從美國買,然后美國獲得巨額利益。

而為何要禁128層以上的存儲設備制造設備?原因在于128層的NAND閃存,在當前其實也算是成熟工藝了,長江存儲早已量產了。

像三星、SK海力士等早就進入了192層,甚至200+層,最近美光不就表示已經推出了232層 3D NAND閃存了麼?

禁128層以上設備,相當于就阻止中國存儲芯片廠商,進入了更先進的技術,只能停留在128層技術上。

據稱,這個禁令針對的是所有位于中國大陸的廠商,不管這個廠商是不是中國本土的廠商。意思就是假如台積電、intel、三星等企業,在中國大陸設的廠,也一樣要被禁止。

很明顯,美國就是全方面的進行圍堵我們的半導體產業掌握先進技術,希望我們只能掌握成熟的技術,這樣就離不開美國的芯片,一直被美國卡著脖子,那麼我們的高科技產業,就一直處于美國掌握之中。

不過,當前這個禁令還只是某些官員提出,并沒有真正的成為政策執行,但接下來會不會執行,還是未知數。

但這則消息已經反映出一個現象,那就阻止中國科技產業崛起,可能已經是美國某些政客的共識了,這對于我們而言,確實不是一個好消息。

再考慮到美國之前通過的520億美元的芯片補貼計劃,要鎖死中國高端芯片產業10年,逼芯片巨頭們二選一,所以我們接下來發展半導體產業,只能靠自己,不能對外有任何幻想,一定要全產業鏈崛起才行。

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