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事關國產沉浸式光刻機,消息正式發布!外媒:提前了?
2022/06/18
2022/06/18

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芯片能夠一直向微縮方向前進,5nm工藝量產后,還能繼續向3 nm、2 nm發展,光刻機功不可沒。尤其是EUV光刻機,更是高端制程芯片制程中最關鍵的核心設備。

可以說,光刻機決定了芯片工藝的技術水平。我們要在芯片上不被卡脖子,就必須突破光刻機。其實,相關機構也一直在努力,近日又傳來了國產沉浸式光刻機消息。

光刻機按光源來分,主要有極紫外EUV、深紫外DUV和紫外UV三類,基本就是高端、中端和低端。低端的i線和g線等光刻機我們已經實現國產,高端EUV也在努力。

目前,國產光刻機還處于DUV階段。而DUV光刻機也分三類,即KrF、ArF、ArFi。前兩種已經突破,國產最高可做到90nm,可滿足國內重要機構使用,不受國外限制。

那麼,現在我們正在努力的就是ArFi光刻機, 多出的這個i代表加入了沉浸式技術。

這個技術相當了不得,這是ASML能夠超過原來的光刻機巨頭尼康和佳能的關鍵。當時光刻機最高做到193nm波長,也就是ArF光刻機,再往下突破就遇到了瓶頸。

尼康和佳能當時堅持繼續原來的干式技術,而此時臺積電專家林本堅提出了一種沉浸式技術,即通過水為介質實現更短波長,即濕式技術,但尼康和佳能根本沒理會。

而當時還較弱的ASML卻大膽采用了這技術,從此實現超越,獲得了較大的市場。

因此,ArFi沉浸式光刻機是個關鍵節點。一旦能夠實現突破,那麼就等于邁進了DUV光刻機中的高端行列,盡管只是入門級別,但再往下更新迭代,就會非常容易了。

那麼,目前國產沉浸式光刻機的研發進展如何呢?之前有消息表示,將于今年年底前交付。最近又有相關媒體爆料,國產沉浸式光刻機已實現突破,將會很快到來。

對此,有外媒表示,不是年底前嗎,難道提前了?具體情況會不會真的如此呢?

首先,國產核心部件陸續突破

ArFi沉浸式光刻機最關鍵的就是這個沉浸式技術,ArF波長為193nm,加入沉浸式技術后就可以達到134 nm,波長越短光刻機就越先進,比如EUV波長是13.5 nm。

近日好消息傳來,中企在浸液控制系統上取得了重大突破。浸液系統是浸沒式光刻機的四大核心部件之一,這就解決了國產ArFi沉浸式光刻機的幾大核心技術之一。

還有雙工件臺、曝光光學系統、投影物鏡等也都已突破,目前應該是在合圍磨合。

其次,ASML行動有相關征兆

對于國產先進光刻機的進展,恐怕ASML了解的更透徹,畢竟人家才是專業的。因此,從ASML的近期行動,我們可以看出征兆。對于國產光刻機,已改口不是不可能。

最近有個大的變化就是,今年第一季度,我們大陸成了ASML的第一大出貨地,占比高達34%。這說明,ASML在有意向大陸加大光刻機出貨量,這極有可能在傾銷。

目的當然是為了打壓國產的進步,應該是獲悉了國產ArFi沉浸式光刻機即將突破。

再者,內部人士也有相關爆料

關于國產光刻機,我們一直在努力,甚至連EUV相關的技術也早就已布局。但大家不知道的是,今年以來在突破國產先進光刻機方面加大了力度,力爭能夠盡快突破。

近期有網友在網上曝光了一個聊天截圖,談話的內容就是關于國產先進光刻機的研發,表示已經下達了硬性任務,并且抽調了相關的很多機構研發人員,正在聯合攻堅。

關于具體的進度并沒有過多透露,不過意思表示,應該可以盡快取得重要進展。

從以上三點可以看出,國產沉浸式光刻機應該快了。一旦實現了這個關鍵節點的突破,接下來就能夠做出更先進的DUV光刻機,這就解決了國產芯片制造絕大多數限制。

DUV高端光刻機如果能實現突破,接下來再突破EUV,應該也就更加的容易了。

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