在梁孟松加入到中芯國際之后，短時間內實現了14nm工藝的量產，在良品率以及性能表現上，足以比肩台積電的水平，但這些成績在2019年就達成了，在過去的三年里，給人一種沒有任何進步的感覺。
相比于三星、台積電的3nm工藝，中芯國際就顯得有點美中不足了，外界一直流傳著梁孟松已經突破了7nm工藝，但兩三年的時間過去了，這一條成熟工藝和高端工藝的分界線，中芯始終沒有跨過去。
在經歷了辭職風波之后，梁孟松的能力也開始被「質疑」，認為他的極限就在14nm上了，面對鋪天蓋地的「污蔑」， 海外媒體冷嘲熱諷道：「14nm是中芯的極限，7nm都攔住住梁孟松！」究竟是不是這麼一回事呢？
梁孟松真有那麼厲害嗎？
近年來半導體產業變化迅速，工藝實力成為巨頭之間競爭的焦點，中芯國際作為中國領先的半導體制造商，在梁孟松加入之后，在整個領域內都飽受關注，他帶領著一支高效率的管理團隊，致力于升級工藝水平、從晶圓制造開始，引領中芯國際走向一條康莊大道。
梁孟松的半導體產業經歷可謂是豐富而又卓越，他之前在台積電、三星等企業都擔任高管職位，對于先進工藝水平的推進有著豐富的經驗。 2017年正式加入中芯國際，迅速在14納米工藝上取得突破，良品率以及性能表現也達到了一線水平。
但半導體產業正處于一個高度競爭的時期，三星、台積電已經將注意力轉向更先進的工藝。對于中芯國際來說，突破7納米工藝迫在眉睫，盡管外界流傳梁孟松已經突破了7nm工藝，但實際上中芯國際目前仍停留在14納米工藝上。
對于這種情況，人們不禁會質疑梁孟松的能力，認為他的工藝極限卡在14納米上，這種看法并不靠譜，中芯國際始終無法突破7nm瓶頸，原因在于無法獲取到EUV光刻機，是被美國給卡脖子了。
目前中美貿易關系愈發緊張，ASML是唯一能夠制造EUV光刻機的廠商，但由于使用了大量的含美技術，必須要遵守對應的出貨規則，在美日荷三方協議簽訂之后，能夠出貨的光刻設備僅限于1980Di范疇，只能支持38納米芯片制造。
這種形勢對中國半導體而言是不利的，得益于智能汽車、物聯網產業的崛起，目前全球范圍內只有中芯國際的產能在增長，龐大的需求也讓其不斷擴充產能，如果無法獲取到光刻機，那之前的一切努力可就白費了。
這對于梁孟松而言是一大挑戰，如果全球供應鏈「完備」的話，那也用不到這樣的「技術大拿」了，科技創新亦是必不可少的，如何擺脫ASML的EVU光刻機，去實現7nm工藝瓶頸的突破，這才是目前的重中之重。
是否有可替代的技術
目前可以確定的是，梁孟松團隊已經突破了7nm工藝，但可惜訂購的EUV光刻機遲遲未到貨，才導致無法正式的量產，既定事實短期內無法改變，梁孟松選擇了另辟蹊徑，推出了N+1、N+2等工藝，雖然不是7nm芯片，但在性能上并沒有太大的差距。
實際上除了ASML的EUV光刻技術，還存在許多其它可以替代技術，例如納米壓印光刻（NIL）、電子束投影光刻（EPL）、離子束光刻（IBL）和X射線光刻（XRL）等等。
NIL技術是一種非光學光刻技術，利用壓力和熱力將壓印模板上的圖形通過壓印方式刻寫到光刻膠層表面，具有高分辨率、高通量和低成本等優點。同時，這種技術也存在一定的局限性，如良品率低、模板制造難度大等。
EPL技術主要是一種基于電子束的直寫技術，具有高分辨率和良好的圖像品質等特點。該技術適用于工藝規則簡單的芯片制造，但難以支撐復雜器件和大規模生產，同時它也存在較高的成本和復雜的操作。
IBL技術同樣是一種基于直接寫入，利用離子束刻寫光刻膠層的制造技術，由于它的較小的斑點尺寸和高精度控制，它也適合于制造高精度和微細結構。該技術與EUV技術相比較，可以加速光刻機的研發和生產，同時它也具有自適應補正能力、加快制造過程等優勢。
XRL光刻技術的原理與EUV光刻類似，都是利用極紫外光或軟X射線控制和刻寫芯片表面。XRL技術較為復雜，但光刻光源強度較大，具有較高的制造速度和良好的分辨率，尤其適用于制造精度較高的芯片和結構。
總之，不同的光刻技術有著不同的特點和適用范圍，它們可以根據不同的芯片制造需求和工藝要求進行選擇，而光子芯片、量子芯片等等，就是這些技術的延伸。
因此正如外媒所說的，限制住梁孟松的并非是能力不足，而是是美國實行的「芯片規則」息息相關的，如果供應鏈完善的話，7nm還真攔不住他，對此你們是怎麼看的呢？
