美國搞科技霸權已經被全球所共知，而之所以美國可以這樣肆無忌憚的實施霸權行徑，就是因為美國在科技上有著領先性，所以面對美國的咄咄逼人，之前央媒就發文稱，要放棄一切幻想，堅持自主研發，掌握自主知識產權，掌握核心科技。
中國院士倪光南也指出，核心科技是求不來、買不來、換不來的，因此在當下芯片領域的競爭上，我們自然把堅持自主創新放在首位，目的就是要掌握核心科技，而就在近日，我們又一芯片底牌曝光，這一技術的出現，可以說令ASML、台積電都要慌了。
具體來說，在芯片制造上，ASML提供光刻機，芯片制造廠，例如台積電，利用更先進的光刻機來提升芯片的制造工藝水平，來滿足芯片設計企業對芯片性能提高的需求。
可以說，ASML和台積電的配合，使得芯片制造工藝的提升還在按照摩爾定律的指引發展，當然，這是帶來好處的一面，同時也暴露了其他不好的一面，關鍵就是成本越來越高，目前台積電哪怕每提升1納米的工藝水平，成本就會翻倍的增加。
更關鍵的是，在核心的光刻機上，ASML方面都已經明確的表示，光刻技術似乎已經發展到盡頭，因為如果繼續升級光刻機，那麼成本是根本無法承擔的，為什麼會造成這樣的惡果呢？
很簡單，就是台積電太依賴ASML提供的光刻機了，ASML總是可以是時候的提供台積電所需要的光刻機，導致台積電根本不用花費太多精力，去將光刻機的最大能力發揮出來，只要采用更先進的光刻機就可以了。
而現在，根據媒體報道，中芯國際SAQP技術效果顯著，利用該技術，中芯國際不僅在沒有EUV光刻機的前提下，實現了7納米工藝，而且還可以實現5納米工藝，而且在經濟上還沒有達到極限。
也就是說，台積電需要用EUV光刻機才能制造的5納米芯片，中芯國際采用DUV光刻機中的ARFi型光刻機就可以實現，由于DUV光刻機比EUV光刻機的售價要低得多，而且SAQP技術還具備很強的經濟性，所以在芯片制造成本上要具備很強的優勢。
但這還不是SQAP技術的最大能力，從以往來看，台積電制造7納米芯片，至少要采用DUV光刻機中的高端型號ARFi型，也就是濕式DUV光刻機，但利用SQAP技術，采用干式DUV光刻機就可以，而該類光刻機我們已經做到了國產化。
再來說前段時間美國一直打壓的中國14納米工藝，該工藝台積電依然需要用到濕式DUV光刻機，而我們利用SAQP技術，采用KRF光刻機就能夠實現。
據悉，目前中芯國際利用SAQP技術，僅僅利用現有的DUV光刻機，就可以在產能上超越三星和英特爾在7納米及以下先進工藝總產能的總和。
而我們的國產ARFi型DUV光刻機距離量產已經不遠，2022年上半年，國望光學的新工廠方面就已經開始進入設備采購階段，預計在今年就會交付ARFi型DUV光刻機所需要的曝光系統，所以預計今年我們的該類光刻機就有望量產。
目前來看，中芯國際的SAQP技術還只是小試牛刀，通過繼續提升SAQP技術的能力，搭配ARFi型DUV光刻機，用以生產3納米甚至2納米芯片并不是沒有可能。
很顯然，我們的國產芯片廠商們找到了另一條芯片發展之路，再搭配前段時間發布的原生小芯片技術標準，我們在芯片設計、前道制造和后道制造上就形成了閉環，不僅可以生產先進工藝的芯片，而且生產成本還非常低廉，ASML和台積電不慌都難。
外媒方面就表示，這才叫科技創新，才叫真正的科技創新，用高昂成本堆砌的科技創新是難以為繼的，就以現在的3納米技術來說，台積電一年前就已經在技術上準備好，ASML的光刻機也準備好，但是卻遲遲沒有客戶買單。所以說未來已來，對于國產芯片的發展，我們再次充滿了期待和信心。
