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挑戰ASML的EUV光刻機:美國采用電子束,俄羅斯采用X射線
2022/10/01
2022/10/01

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目前的芯片制造技術,是離不開光刻機的。而EUV光刻機,更是成為了尖端半導體制造技術的代名詞,因為所有7nm及以下的芯片制造,離不開EUV光刻機。而全球僅有ASML能夠生產EUV光刻機。

不過目前ASML也遇到了技術瓶頸,那就是采用13.5nm波長的EUV光刻機,就算到2025年推出全新的0.55數值孔徑的全新一代High-NA極紫外光刻機,其極限可能也在2nm。

而ASML的首席技術官Martin van den Brink近日表示,High-NA可能是EUV光刻機的極限,代表著2nm可能就是EUV光刻機的盡頭了,1nm以下可謂難如登天。

而只要光刻機技術無法前進,芯片工藝就無法前進,摩爾定律就真的死了,所以全球的廠商們,都在想方設法,用其它技術來挑戰EUV光刻機。

一方面是為了搶ASML的市場,另外一方面則是為摩爾定律續命。

近日美國公司Zyvex Labs表示,他們推出了亞納米分辨率的光刻系統Zyvex Litho 1,分辨率可以達到0.768nm,大約是兩個硅原子的寬度,并且制造出了0.768nm的成品芯片。

這就突破了EUV光刻機的極限了,并且使用的是不同于EUV的光刻技術,采用的是EBL電子束光刻方式。

不過目前這種技術的缺點是產量很低,無法大規模制造芯片,但至少代表了一個技術方向,說不定未來技術改進,能夠大規模制造芯片了呢?

而俄羅斯,之前則公布了另外一種技術,那就是基于X射線的無掩膜式光刻。

這種技術與EUV光刻機,有兩種不同之處。一是采用X射線,波長介于0.01nm至10nm之間,比13.5nm的極紫外線波長更小,從而精度更高。二是無掩膜,直接操縱X射線進行光刻,不需要提前制作掩膜。

不過俄羅斯目前并沒有制造出成品芯片,也沒有突破EUV光刻機的極限,還只是一個理論方向。

接下來就看ASML、美國、俄羅斯們的技術前進了,看誰能夠真正突破EUV光刻機的極限,突破2nm制程,接檔EUV光刻機,讓摩爾定律能夠繼續成立。

當然,我們也更希望中國的廠商們,能夠成為突破EUV技術極限中的一員,畢竟我們已經被光刻機卡住太久的脖子了,急需突破。

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