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ASML最新光刻機曝光:20億一台,用于2nm,每小時處理220片晶圓
2022/09/14
2022/09/14

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眾所周知,制造7nm及以下工藝的芯片,需要用到EUV光刻機,而全球僅有ASML能夠生產。

ASML在2015年,就推出了第一代EUV光刻機WINSCAN NXE:3400B,之后在2019年推出了NXE:3400C,2021年推出了NXE:3600D。

不過據稱,NXE:3600D型號的EUV光刻機,支持的工藝可能僅到3nm,如果要制造2nm的芯片,光刻精度還要提升,需要新一代的High-NA極紫外光刻機才行。

而光刻精度怎麼提升,就是數值孔徑的提升了, 前幾代光刻機,比如3400B/C、3600D的數值孔徑都是0.33NA的,解析度(精度)為13nm,單次構圖間距為32nm到30nm。

而要生產2nm的芯片,數值孔徑要變為0.55NA,也就是解析度(精度)為8nm,這樣可以更更快更好地曝光更復雜的集成電路圖案,同時單次構圖間距低于30nm。

這種新的EUV光刻機叫做型號,就叫做EXE:5200,目前ASML已經有了規劃,預計在2024年底,或者2025年交付。

而基于0.55NA數值孔徑的光刻機,光刻分辨率將允許芯片縮小1.7倍、同時密度增加2.9倍,其處理晶圓的能力是每小時處理220片12寸晶圓左右,真正用于制造3nm以下的芯片。

一小時處理220片12寸的晶圓,其產能有多大?如果是蘋果A16這樣的芯片,一塊晶圓可以切割600塊左右,理論上一台這樣的光刻機,一年可以就光刻10億顆以上……

至于價格方面,ASML表示,其0.55NA的下一代EUV光刻機單價將達到3億多美元(約合20億元人民幣)。

至于買家,當然只有台積電、三星、英特爾三家才有資格購買,其它的晶圓廠,能夠買到0.33NA的EUV光刻機,就已經非常不錯了,不要想這種0.55NA的。

當然,如果不生產7nm及以下的晶圓,EUV光刻機都不需要,DUV就夠了,更就不用糾結這3億多美元一台的0.55NA的EUV光刻機了。

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