它被譽為「芯片產業皇冠上的明珠」，制造芯片不可或缺的設備，也是我國迫切需要的設備，這就是光刻機！其實我國50多年前就展開了對光刻機的研發工作，但由于為了追求經濟快速發展，快速搶占市場，許多企業走出了「貿工技」路線，先做生意，后做技術。到頭來許多企業只顧生意，沒了技術。這讓西方在光刻機、芯片制造領域筑起了森嚴的技術壁壘！
隨著中西「科技戰」打響，老美對國產半導體行業層層加碼，我國也開始大力扶持國內芯片行業，所以這兩年每隔一段時間就會傳出關于國產光刻機的捷報。
國產光刻機技術獲突破
這段時間，光刻機市場迎來了新動向， 哈工大儀器學院胡鵬程教授團隊研制出了 「高速超精密激光干涉儀」，并且獲得首屆金燧獎」中國光電儀器品牌榜金獎。據悉，該激光干涉儀可用于350nm到28nm工藝的光刻機樣機集成研制和性能測試。
光刻機核心系統主要包括物鏡、光源和雙工件台，在物鏡、雙工件台方面，我國已取得了重大突破，尤其是華卓精科的雙工件台，已經達到了ASML的高端光刻機的標準，但在光源還需要進一步突破，比如某電子光刻機遲遲沒有交付，業內傳出消息，就是在光源方面被卡住了脖子，目前正在與國內激光企業共同解決！所以光源的突破也被許多人認為是國產光刻機的最后一款拼圖！
此事引起了不少網友的點贊，還有各路媒體的自嗨，認為既然能有28nm的精度，多次曝光后可以實現7nm工藝芯片的量產！真是如此嗎？
專家：認清現實
其實國內企業通過不同方式解決高端芯片生產被卡脖子的問題，并沒有錯，但目前許多技術還處于「實驗室」階段，從實驗室走到市場，從小范圍走向大范圍，讓科技成果轉化為經濟成果，確實需要一個過程。
近期，中科院副院長，中國半導體研究所研究員聯合發表了一篇名為 《加強半導體基礎能力建設，點亮半導體自立自強發展的「燈塔」》的文章，文章指出，國內許多人認為，中企可以通過購買西方企業在EDA等方面的研究成果，沒有半導體基礎也可以快速發展半導體產業。但如今老美在多領域開始斷供，猶如擰滅了「燈塔」，我們進入「黑暗森林」！
這里并不是指「我們都是帶著槍的獵人」，而是四處無光，找不到方向！眾所周知，芯片產業鏈并不只有光刻機這麼一種設備。設計方面有芯片架構、EDA工具；制造方面有光刻、蝕刻、蝕刻等各種設備；材料方面又包含了大量的化學試劑、惰性氣體、掩膜版等。尤其是半導體基礎物理領域，我們還面臨著「技術匱乏」的局面。舉個簡單的例子，晶體管技術。
目前高端芯片的生產，絕大多數用的是FinFET晶體管技術，也叫鰭式場效應晶體管，發明該技術的人叫胡正明，出生于中國北京，目前是美籍華人，加州大學伯克利分校杰出講座教授。而FinFET又有上萬件技術專利，其中很大一部分核心專利是半導體物理基礎研究得出來的成果。最新的GAA晶體管技術領域，三星有著21%左右的專利占比，台積電專利占比有32%左右。即便是用于生產芯片的12英寸硅晶圓，我國絕大多數還是依賴進口。
也就是說，在半導體領域，我們并沒有扎好根，基礎并不牢固！想要在短時間內超車，趕上甚至超越西方發達國家數十年的技術積累，并不容易！2021年北大國發院名譽院長林毅夫在中國企業未來發展論壇上表示：「不賣給中國光刻機，大概3年后中國就能掌握！眼看三年時間快過完了，現實卻依舊很殘酷。
核心技術需要一步一個腳印
簡單來說，我國在關鍵領域所取得的突破是真，但制造7nm甚至5nm工藝芯片是假。但這并不意味著我們沒有機會，需要彌補半導體領域許多歷史舊賬，尤其是在物理基礎研究方面，這或許要通過行政手段，通過培養、引進、穩步一批長期從事半導體物理研究的人才，推動「產學研」深度融合，建立有效的科技成果收益分享機制，讓科研成果有市場，科研人員有回報。讓人感到欣慰的是，其實在這方面，國資委已經開始出手了！
在半導體領域，為避免下一個時代重蹈傳統芯片時代覆轍，一方面不妨從基礎的Krf、L線光刻機入手，真正吃透芯片制造、晶體管技術；另一方面著手下一代半導體制造技術，材料和相關設備。
行業內有這樣一句話，集成電路從來沒有「彎道超車」，想要實現5nm，必須吃透7nm、6nm等更成熟的工藝！想要縮小與西方企業的差距、打破技術壁壘，就得深耕，沒有捷徑！
