熟悉科技領域發展的人都知道，美國是全球半導體集成電路芯片的發源地，在整個芯片領域擁有著很高的話語權；美國手中不僅掌握著先進的芯片核心技術，而且經過多年時間的發展，在美國還誕生了一大批的芯片巨頭企業，像我們熟悉的高通、英特爾、英偉達等芯片企業都清一色的來自于美國；如今就連台積電、三星以及ASML等芯片上下游的企業也離不開美國的核心技術和設備；正是因為如此，老美才可以肆無忌憚的在半導體芯片領域對我們進行「科技霸凌」！
在被老美極限打壓和封鎖，以及有了華為的前車之鑒后，國內的科技企業也紛紛覺醒了，并開始加快了在半導體芯片等領域的發展；隨著國內企業和機構的不斷努力，如今我們也在很多前沿芯片技術領域取得了突破；其中西安郵電大學立下大功，不僅突破了第四代半導體新型材料技術，而且還在8英寸的硅片上制備出了高品質的氧化鎵外延片；對此外媒也表示：美國封鎖了什麼？
這些年來，半導體芯片領域發展的十分迅猛；時至今日，全球一共探索出了四代半導體材料技術；第一代就是美國所主導的硅基芯片材料，而這也是我們目前最常見的芯片材料；而第二代則是砷化鎵、磷化銦材料，可以被應用于毫米波器件，微波器件的制造；第三代是以氮化鎵為主，目前主要被應用在手機廠家的快充充電頭上，因為導熱度高，可提高轉換效率，所以也大大的提升了手機等設備的充電效率，目前最高已經可以做到300W「神仙級」秒充。
如今第四代就是西安郵電大學所突破的新型材料氧化鎵外延片，它具有更低的導通電阻，以及更高的擊穿電場強度的特性，可以被廣泛的應用于前沿的電力調節、光伏以及電動汽車等領域，可以說這也是最前沿的芯片半導材料技術了，對于突破摩爾定律的限制也將有極大的幫助和探索意義，并為我們在芯片新的發展路徑上提供解決方案。
要知道，在目前市場上所廣泛使用的硅基芯片領域，美國早已經取得了領先的優勢，并積累了超半個世紀的核心技術，在老美《瓦森納協議》等條約的封鎖下，我們甚至有錢也買不到最先進的EUV光刻機，更無法生產出7nm以下芯片，所以我們想要在硅基芯片領域實現彎道超車也是很難的；不過也正是在老美的極限打壓和封鎖下，才刺激了中企加快走上了自研的道路！
如今，在硅基半導材料領域里，台積電已經實現了3nm工藝的量產，并處于全球領先的地位，但值得一提的是，硅基半導材料的發展需要遵循摩爾定律，越往下就越難突破，到了1nm以后，幾乎就達到了行業的「天花板」，所以現在整個半導體市場上也在加快對半導新材料，新工藝和新架構的研發，而我國不僅研發出了新型半導體材料和技術，而且還建立了全球首條量子芯片生產線，這也將有利于幫助我們在前沿工藝芯片領域破冰，相信隨著國產科技企業的不斷努力，我們也一定能打破封鎖，不知道對此你是怎麼看的呢？
