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存儲芯片從落后20年,到追上三星、美光,中國廠商只花了6年
2022/06/16
2022/06/16

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近日,有消息稱,國內存儲芯片大廠長江存儲已向客戶交付了192層堆疊的3D NAND閃存芯片。而預計在2022年底或2023年初,會實現232層堆疊的3D NAND閃存技術。

這意味著國內存儲芯片廠商,終于追上三星、美光了。要知道美光是前不久才發布了業界首個 232 層堆棧的 3D NAND Flash芯片,而大規模量產和應用要到2022年底或2023年初去了。

而三星預計也是在2022年內推出200層以上的3D NAND閃存芯片,而大規模應用也要到2023年去了。

可見,國產存儲芯片,在技術上確實已經追上了三星、美光這樣的頂級大廠,大家差不多處于同一水平線了。

而仔細說起來,國產存儲芯片從之前的落后20年,到現在追上頂級水平,其實只花了6年時間。

長江存儲是2016年成立的,總投資1600億元,預計建設目標是總產能30萬片/月,年產值將超過100億美元,拿下全球20%以上的市場份額,成為全球知名的NAND閃存廠商。

而2016年時,國內在存儲芯片上基本一片空白,落后國外水平至少是20年以上。所以很多人并不看好長江存儲,覺得可能需要很久的時候,才有可能追上三星、美光等。

不曾想長江存儲進度非常快,2017年就研制成功了中國第一顆3D NAND閃存芯片,然后在2018年實現了量產,雖然落后國外很多,但有了0的突破。

后來長江存儲又自研出了Xtacking架構,大幅度的提高了存儲密度。并在2019年9月份,基于自研Xtacking架構,推出了64層3D NAND Flash,拉近了與三星、美光之間的差距。

接著長江存儲實現了跳躍式發展,跳過了96層,直接在2020年4月,發布了128層3D NAND 閃存,再次縮小與三星、美光的差距。

并且基于Xtacking架構,長江存儲128層堆疊的NAND閃存芯片,其存儲密度達到了8.48 Gb/mm²,遠高于三星、美光、SK海力士等一線NAND芯片大廠。

可能很多人不理解,堆疊層數多少有什麼意義?在存儲芯片領域,堆疊層數越高,意味著工藝越先進,意味著存儲密度越高,芯片的成本越低,尺寸越小。

大家原本以為,長江存儲從128層跨越到232層,可能需要幾年時間,不曾想在美光、三星進入232層時,長江存儲馬上也追了上來。

而按照機構的數據,2021年,國產存儲芯片的市場份額為4%,而2022年可以達到7%左右,而2023年預計會達到12-15%。

這也就意味著,長江存儲真的花了6年多一點的時間,就把原本落后至少20多年的存儲芯片技術,追了上來,市場也是飛速增長,這實在是太牛了。

而長江存儲也給大家證明了一個事實,那就是只要認真扎實去研發,芯片技術一樣難不倒我們。

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