中企宣布芯片技術突破,或將成行業領導者,美國可受不了這刺激

過人君 2022/12/06 檢舉 我要評論

在全球NAND市場中,美日韓是主要玩家,三星電子、鎧俠、西部數據、SK海力士主導了主要市場。這塊市場入局門檻高,對核心技術,產業整合能力有非常大的要求。

而中國企業長江存儲也在快速入局,并完成了232層3D NAND閃存生產。這是怎樣的技術產品呢?存儲產業會有怎樣的變局?

長江存儲完成232 層 3D NAND 閃存生產

在智慧型手機,電腦等消費電子性能逐步提高的當下,對于存儲芯片提出了更高的要求。一般來說,存儲芯片主要分為NAND和DRAM,其中NAND是非易失性存儲技術,而DRAM是動態隨機存取內存。

這兩大存儲芯片都有不同的市場格局,就拿NAND來說,全球市場份額分布集中,被美日韓三國主導。

根據2021年第一季度全球NAND市場份額來看,三星占據33.5%的市場份額,位居世界第一,鎧俠、西部數據、SK海力士、美光位居第二和第五,市占比分別是18.7%、14.7%、12/3%、11.1%。

再往下就是英特爾和其它品牌瓜分剩余的市場了,整體來看,NAND行業被主要頭部玩家瓜分,因為該行業對人才、技術、資源以及財力等方面都提出很高的要求,所以哪怕有再多的品牌,也只能位居二三線。

甚至新入局的廠商想要脫穎而出都顯得十分困難。不過中國企業長江存儲正在快速入局,且宣布芯片技術突破,或將成為行業領導者。

有機構對長江存儲的固態硬盤進行拆解,發現其中的閃存顆粒采用了232 層的 3D NAND 結構。這是怎樣的技術產品呢?

要知道行業內的閃存技術能做到128層就已經不錯了,過去五年里三星,SK海力士等巨頭從64層NAND推進到128層,再往前一步就是朝著200層以上努力。

美國存儲芯片巨頭美光科技是第一個提出要生產232層結構的廠商,但業內遲遲沒有傳出美光突破的消息,而讓人沒想到的是,長江存儲完成了232層3D NAND閃存的生產。

這項技術產品可以帶來更大的容量和數據穩定性,并且在采用了3D堆疊技術后,NAND閃存的可靠性有了進一步的提升。

2D工藝只能在平面上增加面積,相當于蓋一棟房子不是上下堆疊,而是向著前后左右。2D的弊端會讓閃存面積不斷增加,最終無法與設備兼容適配。

而3D NAND閃存才是行業的趨勢,一線巨頭都在做3D NAND,且推出了各自的技術,比如三星的V-NAND,東芝的BiCS,長江存儲的技術則是Xtacking。

長江存儲這項技術會把存儲陣列與外圍電路進行區分,再用垂直互聯通道進行連接。通俗點講,就是在兩顆晶圓上獨立制造兩種電路,再進行拼接,這樣集成的性能會更加出色,與其它廠商的單一集成方式形成鮮明對比。

或許正是因為這種獨特的生產技術,讓長江存儲率先切入200層以上的3D NAND。

存儲產業會有怎樣的變局?

全球一線的NAND行業巨頭都是老牌廠商了,美光科技成立于1978年,三星在三十年前就成為了全球第一的存儲芯片巨頭。而中國的長江存儲僅成立于2016年,就資歷來說,長江存儲屬于后起之秀。

因為在競爭激烈的NAND行業中,主要的市場份額依舊掌握在老牌廠商中。

但長江存儲正在努力提升技術優勢,不斷將產品堆疊層數,有了232層3D NAND作為行業敲門磚,相信存儲產業會迎來全新的變局。在NAND領域從「other」逐步擁有自己的名字。

實際上長江存儲走到這一步,經歷了很多艱辛。公司成立一年后,也就是 2017年,長江存儲辛苦研制出32層NAND,這個水平放在當時,如果沒有三星的64 層 NAND進行對比的話,也許還能大放異彩。

而消費者既然有了更好的選擇,市場競爭的結果自然會傾向于技術領先者。所以長江存儲的32層NAND并沒有激起太大的風浪,但長江存儲并沒有止步于此,2019年時長江存儲再次宣布實現64層NAND閃存量產,此后又繞開了96層來到了128層,于2020年宣布研制成功。

到了今年,長江存儲更是放出了王炸,做出了行業首個232層NAND閃存。如果不是美國對其特殊關注,蘋果公司或許早就采用長江存儲的NAND閃存產品了。越是如此,就越要繼續干,奮勇向前。

隨著這次的232層NAND閃存破冰 ,估計美國可受不了這刺激。

寫在最后

海外存儲芯片廠商的產品固然領先,但技術掌握在他們手中,市場定價權也由賣方說了算。過去一根8GB的內存條都得800元,有了國產提供選擇之后,市場會逐步變成買方說了算。期待長江存儲能腳踏實地,取得更大的進步。


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